在光刻机领域，ASML一家独大，依托自主研发的先进的EUV光刻机，ASML也在整个光刻机市场赚得盆满钵满；因为EUV光刻机是生产7nm工艺以下芯片的必备设备，所以很多芯片都争相购买EUV光刻机。在老美的限制下，中国就算有钱也买不到。

多年来，在美洲等国的帮助下，ASML还成功拿下了核心技术光刻机，获得了光源设备、真空室、光刻胶材料、光学镜头等核心部件的供应。ASML实际承担组装EUV光刻机的工作，很多零部件都是从国外进口的；要知道，光刻机中的每一个部件都可能涉及到核心技术 专利，所以其他厂商侵犯专利，很容易被起诉，所以我们不能完全复制EUV光刻机，我们要坚持自主研发自己的专利！

在EUV光刻机等核心技术领域，掌握技术 专利这个键非常重要。在这个关键时刻，中企川芯半导体公布了一款名为“曝光成像结构、反射式光掩模组和投影式光掩模光刻机”的光掩模光刻机专利 技术，这是除此之外，我们之前在光源、两件式工作台等核心技术领域的突破。

企服快车小编给大家分享一个专利申请:一种光刻机系统及光刻方法

摘要:

本发明涉及光刻机技术领域，具体涉及光刻机系统和光刻方法。

该光刻机系统包括能够发射至少两种能量束的光源模块；

能量束调节模块，用于调节能量束的波长和能量；

光学模块用于将能量光束共线聚焦形成贝塞尔光束；

四波混频发光模块用于提供四波混频蓝光，四波混频蓝光和贝塞尔光束可以共线聚焦形成短波能量光束；

运动模块包括样品台和智能机械手，样品台设置为位置可移动状态，智能机械手用于调整待刻蚀样品在样品台上的位置。通过该系统，可以无限缩小光刻光束的线宽，光束可以缩小到5nm、3nm、2nm甚至更低，从而提高光刻精度，降低功耗。