自NAND闪存诞生以来，一直没有停下发展的脚步，基本上都是追求更高的存储密度。从最初的SLC一直发展到现在的QLC，存储密度有了大幅度提升，但随着单元中位数增加，读写速度相对更低了，而且耐用性也变差了。

X-NAND技术旨在拥有单级单元(SLC)NAND闪存的速度，同时提供四级单元(QLC)NAND闪存的容量，并尽可能以最小的尺寸实现这一目标。据称，X-NAND的随机读写与写入比QLC闪存快三倍，连续读取快27倍，连续写入快14倍。此外芯片的尺寸更小，Die Size只有同样16 planes的NAND闪存的37%，还可以根据实际需要缩减芯片的尺寸，功耗也更低。

X-NAND技术可以与现有的任何NAND闪存配合使用，不需要进行结构更改，没有额外的制造成本，从而提高了灵活性并简化了转换速度。未来NEO半导体很可能会将X-NAND技术授权给NAND闪存芯片的制造商，包括Kioxia(铠侠)、美光、三星和SK海力士等。